SOT- 23塑料封装
整流器-20V- 200V
MOSFET的
1.0A表面装载肖特基
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
3.0
威伦
FM120-M
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
典型特征
包装外形
SOD-123
包
传输特性
SOD-123H
2.5
0.146(3.7)
0.130(3.3)
漏电流
输出特性
更好的反向漏电流和耐热性。
型材表面安装，以便应用程序
•
低
22
4.5V
优化电路板空间。
20
•
低功耗，高效率。
V =4V
6V
10V
•
高电流能力，低正向电压降。
GS
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
15
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
=3.5V
V
•
无铅零件符合环保标准
GS
10
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
(A)
I
D
TA = 25℃
o
0.012 （ 0.3 ）典型值。
(A)
I
D
2.0
0.071(1.8)
0.056(1.4)
漏电流
1.5
1.0
机械数据
5
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
0
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
方法2026
V
DS
(V)
V
GS
=3V
0.5
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.0
1.5
1.3
0.031 （ 0.8 ）典型值。
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
栅极至源极电压
V
GS
(V)
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
I
D
R
DS （ ON）
——
•
重量：的逼近0.011克
60
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
V
GS
=4.5V
对于电容
40
负载，减免电流20 ％
(mΩ)
R
DS （ ON）
50
尺寸以英寸（毫米）
70
R
DS （ ON）
——
V
GS
TA = 25℃
o
最大额定值和电气特性
(mΩ)
R
DS （ ON）
60
评级
30
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
50
导通电阻
最大的经常峰值反向电压
最大RMS
20
电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
10
V
RRM
V
GS
=10V
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
(A)
导通电阻
标识代码
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
40
15
50
50
D
16
60
60
1.0
30
18
80
56
I
D
=3.6A
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
35
=2.8A
42
I
30
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加
0
额定负荷（ JEDEC的方法）
安培
6
7
8
9
10
TA = 25℃
20
8
10
o
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
0
2
4
6
典型结电容（注1 ）
漏电流
I
D
R
θJA
C
J
T
J
3
4
-55到+125
40
栅极至源极电压V
GS
(V)
120
-55到+150
5
℃/W
PF
℃
℃
I
S
——
V
SD
TSTG
-
65
到+175
10
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
1
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏
毫安
I
S
(A)
额定阻断电压DC
0.1
I
R
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
源出电流
注意事项：
2-热阻结点到环境
1E-3
0.01
1E-4
2012-06
0.0
1E-5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
威伦电子股份有限公司。
源极到漏极电压
V
SD
(V)
2012-0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
