1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
N沟道增强型网络场效晶体管
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
描述
•
Guardring过电压保护。
•
超高速
采用先进的沟槽技术，提供优异的
该
SE3404
切换。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
R
DS （ ON）
和低栅极电荷。此装置适合于用作负载
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
开关或
免费的产品包装代号后缀"H"
引线被分离，以允许一个
PWM applications.The源
卤素
SOD-123H
SOT- 23塑封装的MOSFET
特点
威伦
FM120-M
THRU
FM1200-M
无铅产品
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOT-23
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1.门
2.源
3.排水
开尔文连接到源，其可以被用来绕过源
0.040(1.0)
0.024(0.6)
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
电感。
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
无铅封装可用
方法2026
符合RoHS的产品包装代码
BAND
”G”
尺寸以英寸（毫米）
•
极性：由阴极指示
苏FFI X
无卤
您的位置：
包装代号后缀为“H”
•
MOUNTING
产品
任何
•
重量：的逼近0.011克
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
标记： R4
评级
标识代码
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
机械数据
最大额定值（T
a
= 25 ℃ ，除非
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
参数
最大正向平均整流电流
12
13
否则
20
说明）
30
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
14
21
20
符号
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
价值
1.0
±20
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
单位
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
漏源电压
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
-55
D
+125
P
to
30
V
V
A
A
W
℃/W
0.85
0.9
℃
PEAK
栅极 - 源
电流8.3ms单一正弦半波
正向浪涌
电压
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
安培
℃/W
PF
℃
℃
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
功耗
存储温度范围
连续漏电流（T
≤10s)
5.8
漏电流脉冲
（注1 ）
典型结电容
*
40
30
120
-
65
到+175
-55到+150
0.35
357
从结点到环境的热阻
TSTG
结温
特征
V
F
I
R
R
θJA
T
英镑
0.50
T
J
150
℃
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
0.70
150
-55~
0.5
10
0.92
最大正向电压在1.0A DC
储存温度
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
伏
毫安
*
重复评价：脉冲宽度
@T A = 125 ℃
最高结温。
受
额定阻断电压DC
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
