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SE3404 参数 Datasheet PDF下载

SE3404图片预览
型号: SE3404
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内容描述: SOT- 23塑封装的MOSFET [SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 391 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
SOT- 23塑封装的MOSFET
特点
威伦
FM120-M
THRU
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOD-123H
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
电气特性(T
a
= 25℃除非另有说明)
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
符号
参数
测试条件
超高速开关。
静态参数
芯片,金属硅交界处。
硅外延平面
无铅零件符合环保标准
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
RoHS指令
电压漏电流
后缀"G"
零门
产品包装代码
I
DSS
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
30
典型值
最大
0.071(1.8)
0.056(1.4)
单位
V
V
DS
=30V,V
GS
= 0V
V
GS
=±20V, V
DS
= 0V
1
1
±100
0.040(1.0)
0.024(0.6)
µA
nA
V
mΩ
mΩ
S
V
pF
pF
pF
门体漏电流
栅极阈值电压
V
DS
=V
GS
, I
D
=250µA
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
V
GS ( TH)
V
GS
= 10V ,我
D
= 5.8A
案例:模压塑料, SOD- 123H
0.031 ( 0.8 )典型值。
漏源导通电阻
(注1 )
R
DS ( ON)
,
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 4.8A
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
转发Tranconductance
(注1 )
机械数据
I
GSS
3
28
42
5
1
0.031 ( 0.8 )典型值。
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
动力参数
(注2 )
重量:的逼近0.011克
二极管的正向电压
输入电容
输出电容
g
FS
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
V
DS
= 5V ,我
D
=5.8A
I
S
=1A
尺寸以英寸(毫米)
820
V
DS
=15V,V
GS
= 0V , F = 1MHz的
118
85
1.5
16
60
42
60
1.0
 
30
18
80
10
6.5
100
70
最大额定值和电气特性
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
反向
半波,60赫兹,感性负载的电阻。
C
RSS
单相
传输电容
栅极电阻
容性负载,减免电流20 %
R
g
V
DS
=0V,V
GS
= 0V , F = 1MHz的
标识代码
评级
切换参数(记
2)
115
ns
150
120
200
140
200
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
开启上升时间
最大RMS电压
最大的经常峰值反向电压
导通延迟时间
V
RRM
t
D(上)
t
r
V
RMS
I
O
t
f
 
I
FSM
R
θJA
T
J
TSTG
12
20
13
30
14
40
15
50
35
50
V
GS
14
=10V,V
DS
=15V,
21
28
20
L
=2.6Ω,R
=3Ω
30
40
R
56
3.1
ns
105
150
ns
安培
最大直流
延迟时间
打开-O FF
阻断电压
 
V
DC
t
D(关闭)
80
15.1
100
最大正向平均整流电流
关断下降时间
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
注意:
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
2.7
ns
 
安培
℃/W
PF
典型热阻(注2 )
1.
脉冲测试:脉冲width≤300μs ,值班cycle≤0.5 % 。
这些参数都无从查证。
C
J
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
2.
 
 
-55到+125
40
120
 
 
-55到+150
 
-
65
到+175
 
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
 
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
 
毫安
I
R
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
 
 
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-0
威伦电子股份有限公司。