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SE2301 参数 Datasheet PDF下载

SE2301图片预览
型号: SE2301
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内容描述: SOT- 23塑封装的MOSFET [SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 434 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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SOT- 23塑料封装
MOSFET的
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
输出特性
优化电路板空间。
-14
V
GS
= -4.0V,-3.5V,-3.0V,-2.5V
T
a
=25
低功耗,高效率。
脉冲
能力,低正向电压降。
当前
-12
V
GS
=-2.0V
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
-10
超高速开关。
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
-8
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
产品包装代号后缀"G"
RoHS指令
-6
无卤素产品的包装代号后缀"H"
V
GS
=-1.5V
(A)
I
D
漏电流
威伦
FM120-M
SE2301
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
典型特征
-10
包装外形
SOD-123H
传输特性
T
a
=25
脉冲
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
-8
0.071(1.8)
0.056(1.4)
-6
漏电流
I
D
(A)
-4
机械数据
-4
环氧树脂
-2
: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料, SOD- 123H
V =-1.0V
,
-0
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
-0
-1
-2
-3
-4
GS
-2
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
-0
-0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
0.031 ( 0.8 )典型值。
-2.5
方法2026
源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
R
DS ( ON)
—— I
D
150
重量:的逼近0.011克
120
尺寸以英寸(毫米)
R
DS ( ON)
250
——
V
GS
T
a
=25
脉冲
T
a
=25
脉冲
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
V
GS
=-2.5V
90
对于容性负载,减免电流20 %
(m
Ω
)
R
DS ( ON)
导通电阻
200
 
R
DS ( ON)
导通电阻
(m
Ω
)
150
评级
60
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
V
GS
=-4.5V
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
30
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
 
-8
I
FSM
R
θJA
12
20
14
20
13
30
21
30
100
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
I = -3.6A
D
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
Vo
42
Vo
50
60
1.0
 
-4
30
Vo
最大正向平均整流电流
 
-0
-2
-6
峰值正向浪涌电流8.3 ms单
-4
正弦半波
0
Am
-6
-8
0
-10
-0
-2
 
漏电流
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
I
D
(A)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
Am
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
-1
存储
T
a
范围
温度
=25
脉冲
-0.3
 
I
S
——
V
SD
C
J
T
J
TSTG
 
-55到+125
40
120
 
 
-55到+150
℃/
P
 
-
65
到+175
 
(A)
-0.1
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
最大正向电压在1.0A DC
I
S
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
 
Vo
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
 
源出电流
额定阻断电压DC
-0.03
I
R
mA
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
-0.01
 
 
2-热阻结点到环境
-3E-3
-1E-3
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
源极到漏极电压
V
SD
(V)
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。