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SE2301 参数 Datasheet PDF下载

SE2301图片预览
型号: SE2301
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内容描述: SOT- 23塑封装的MOSFET [SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 434 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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SOT- 23塑料封装
MOSFET的
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
P通道20 -V (D -S )的MOSFET
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
特征
外延平面芯片,金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
TrenchFET功率MOSFET
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
威伦
FM120-M
SE2301
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
SOT-23
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
应用
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
z
负载开关,用于便携式设备
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
z
DC / DC转换器
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
z
无铅封装可用
方法2026
极性:指示
填料
BAND
符合RoHS的产品
由阴极
代号后缀“G”
安装位置:任意
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
重量:的逼近0.011克
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
 
0.031 ( 0.8 )典型值。
1.门
2.源
3.排水
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
尺寸以英寸(毫米)
标记:
最大额定值和电气特性
S1
 
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
V
RRM
V
RMS
V
DC
 
I
FSM
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
 
价值
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
VOL
VOL
VOL
最大正向平均整流电流
最大额定值(T
a
=25℃
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
除非
I
O
另有说明)
符号
V
DS
 
V
GS
I
D
I
DM
V
F
I
R
S
Am
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
 
单位
参数
Am
漏源电压
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
栅源电压
工作温度范围
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
 
-20
±8
-55到+125
40
120
 
 
V
℃/W
PF
连续漏极
存储温度范围
当前
-2.3
65
到+175
-
-10
 
-55到+150
 
漏电流脉冲
最大正向电压在1.0A DC
特征
符号
连续源极 - 漏极二极管电流
A
0.85
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
I
-0.72
从结点到环境的热阻(T
5s)
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
 
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
最大功率耗散
结温
P
D
R
θ
JA
T
J
T
英镑
0.50
0.70
0.35
357
150
0.5
10
W
℃/W
0.9
0.92
 
VOL
MAM
注意事项:
储存温度
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
-55 ~+150
 
 
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。