SOT- 23塑料封装
MOSFET的
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装应用程序
另有说明）
电气特性（T
a
= 25 ℃ ，除非
为了
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
参数
符号
测试条件
•
高电流能力，低正向电压降。
STATIC
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压
漏源
击穿电压
保护。
（ BR ）
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=-250µA
V
•
超高速开关。
V
DS
栅极 - 源
阈值电压
芯片，金属硅交界处。
=V
GS
, I
D
=-250µA
V
GS （ TH）
•
硅外延平面
•
无铅零件
栅极 - 源
泄漏
符合环保标准
DS
=0V, V
GS
=±8V
I
GSS
V
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品
当前
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
零
栅极电压漏
包装代号后缀"G"
I
DSS
无卤素产品的包装代号后缀"H"
威伦
FM120-M
SE2301
THRU
FM1200-M
无铅产品
包
特点
包装外形
SOD-123H
民
0.146(3.7)
0.130(3.3)
典型值
最大
0.012 （ 0.3 ）典型值。
单位
-20
-0.4
-1
±100
-1
0.090
0.110
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
V
nA
µA
机械数据
漏源
导通状态电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.8A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2.0A
0.112
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
前锋
跨
a
SOD-123H
g
fs
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.8A
•
案例：模压塑料，
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
动态
b
•
极性：由阴极频带指示
产量
电容
C
OSS
•
安装位置：任意
反向
传输电容
0.011克
C
RSS
•
重量：的逼近
输入
电容
方法2026
Ω
0.040(1.0)
0.142
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
6.5
S
C
国际空间站
405
尺寸以英寸（毫米）
V
DS
=-10V,V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
75
55
5.5
3.3
0.7
1.3
16
60
60
1.0
30
40
120
18
10
pF
V
DS
=-10V,V
GS
=-4.5V,I
D
=-3A
总
栅极电荷
最大额定值和
Q
g
电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
栅极 - 源
收费
Q
负载。
V
DS
=-10V,V
GS
=-2.5V,I
D
=-3A
单相半波，60赫兹，电感电阻
gs
对于容性负载，减免电流20 ％
栅极 - 漏极
收费
Q
gd
标识代码
10
6
nC
门
阻力
评级
符号
F = 1MHz的
FM130-MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
FM120-M
H
6.0
Ω
R
g
UN
开启
延迟时间
最大的经常峰值反向电压
上升
时间
最大RMS电压
最大直流阻断电压
打开-O FF
延迟时间
最大正向平均整流电流
t
D（上）
RRM
V
t
r
V
RMS
V
t
D（关闭）
DC
I
O
I
FSM
V
DD
=-10V,
14
20
12
20
13
30
21
14
40
28
40
15
50
35
50
11
80
35
56
80
30
20
100
60
70
100
50
115
150
105
150
120
200
140
VOL
R
L
=10Ω,
I
D
=-1A,
30
42
VOL
ns
200
VOL
秋天
时间
V
根
=-4.5V,Rg=1Ω
t
f
10
20
Am
峰值正向浪涌电流8.3ms
特征
漏源
体
二极管
单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
Am
典型热阻（注2 ）
连续
源极 - 漏极二极管
典型结电容（注1 ）
a
工作温度范围
存储温度范围
当前
I
S
R
θJA
C
J
T
C
=25℃
-55到+125
-0.8
-1.3
℃/W
A
PF
脉冲
二极管的正向电流
体
二极管电压
I
SM
T
J
V
SD
-
65
到+175
-55
-10
+150
℃
TSTG
I
S
=-0.7A
0.50
0.70
-1.2
0.85
V
0.9
0.92
℃
注意事项：
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
最大正向电压在1.0A DC
V
F
a.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比
≤2%.
VOL
设计b.Guaranteed ，不受生产
I
R
测试。
额定阻断电压DC
@T A = 125 ℃
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
0.5
10
MAM
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
