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2SK3541M3T5 参数 Datasheet PDF下载

2SK3541M3T5图片预览
型号: 2SK3541M3T5
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内容描述: SOT- 723塑封装的MOSFET [SOT-723 Plastic-Encapsulate MOSFETS]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 463 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
输出特性
更好的反向漏电流和耐热性。
V =3.0V
T
a
=25
GS
优化电路板空间。
3.5V
脉冲
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
0.15
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
=2.5V
V
GS
0.10
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.20
安装才能申请
低调的表面
4.0V
FM120-M
THRU
SOT- 723塑封装的MOSFET
特点
FM1200-M
无铅产品
包装外形
典型特征
200
100
传输特性
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
(A)
30
I
D
(MA )
漏电流
漏电流
I
D
10
0.071(1.8)
0.056(1.4)
3
1
机械数据
0.05
V
GS
=2.0V
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
V =1.5V
案例:模压塑料, SOD- 123H
0.00
,
0
1
2
3
4
5
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
GS
0.3
0.040(1.0)
V
DS
=3V
0.024(0.6)
T
a
=25
脉冲
0.1
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
0
1
2
3
4
漏源极电压
方法2026
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
R
DS ( ON)
—— I
D
重量:的逼近0.011克
60
T
a
=25
脉冲
尺寸以英寸(毫米)
R
DS ( ON)
—— V
GS
15
T
a
=25
脉冲
最大额定值和电气特性
(
)
最大的经常峰值反向电压
20
最大RMS电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
GS
=2.5V
导通电阻
标识代码
导通电阻
评级
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
12
20
14
20
V
GS
=4V
100
200
13
30
21
30
R
DS ( ON)
 
R
DS ( ON)
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
40
对于容性负载,减免电流20 %
(
)
10
14
40
5
28
15
50
35
50
I
D
=50mA
16
60
42
60
I
D
18
80
=100mA
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
安培
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
 
40
I
O
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
0
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
3
1
10
30
 
I
FSM
0
1.0
 
30
10
 
安培
典型热阻(注2 )
电流I
D
(MA )
R
θJA
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
 
0
C
J
T
J
 
-55到+125
40
栅极至源极电压
120
5
 
15
20
 
V
GS
(V)
℃/W
PF
 
-
65
到+175
-55到+150
 
200
100
I
S
——
V
SD
TSTG
V
GS
=0V
最大正向电压在1.0A DC
脉冲
I
S
(MA )
T
a
=25
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
 
毫安
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
30
额定阻断电压DC
 
I
R
注意事项:
10
 
 
2-热阻结点到环境
3
1
源出电流
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
0.3
2012-06
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
威伦电子股份有限公司。
2012-0
威伦电子股份有限公司。