威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
FM120-M
THRU
SOT- 723塑封装的MOSFET
特点
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOD-123H
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
电气特性（T
a
= 25℃除非另有说明）
•
Guardring过电压保护。
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
参数
符号
测试条件
•
无铅零件符合环保标准
漏源击穿电压
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
零栅极电压漏极电流
机械数据
栅极阈值电压
阻燃
•
环氧树脂： UL94 -V0评分
静态漏源导通电阻
正向跨导
方法2026
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
民
30
典型值
0.071(1.8)
0.056(1.4)
最大
单位
V
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
V
GS
= 0V时，我
D
=10µA
•
符合RoHS的产品包装代码
栅极 - 源极漏电流
后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
= 3V ，我
D
=100µA
0.8
5
7
20
±1
1.0
0.040(1.0)
0.024(0.6)
µA
µA
V
Ω
mS
1.5
8
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
V
GS
= 4V ，我
D
=10mA
典型值。
0.031(0.8)
R
DS （ ON）
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
GS
= 2.5V ，我
D
=1mA
V
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=5V,V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
= 3V ，我
D
=10mA
0.031 （ 0.8 ）典型值。
13
•
极性：由阴极频带指示
输入电容
•
安装位置：任意
输出电容
•
重量：的逼近0.011克
反向传输电容
导通延迟时间
尺寸以英寸（毫米）
13
9
4
15
35
80
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
pF
最大额定值和电气特性
t
D（上）
V
GS
=5V,V
DD
=5V,
I
D
=10mA
R
L
=500Ω,R
G
=10Ω
13
30
21
30
14
40
28
40
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
上升
半
t
r
单相
时间
波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
标识代码
ns
115
150
105
150
120
200
140
200
下降时间
评级
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
t
f
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
80
10
100
70
100
伏
伏
伏
安培
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
安培
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏
毫安
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
