威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOT- 723塑封装的MOSFET
200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
N沟道
损失，效率很高。
•
低功耗
MOSFET
•
高电流能力，低正向电压降。
特点
•
高浪涌能力。
低
过压
•
Guardring
导通电阻
保护。
•
超高速开关。
开关速度快
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
低
部分符合环保标准
理想
•
LEAD -FREE
电压驱动器，使该器件
of
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
驱动电路可以是简单的
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
并行使用
包装代号后缀"H"
无卤产品
很容易
SOD-123H
FM120-M
THRU
FM1200-M
无铅产品
包
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOT-723
0.071(1.8)
0.056(1.4)
便携式设备
1.门
2.源
3.排水
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
•
环氧树脂： UL94 -V0
APPLICA TIONS
额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
接口，开关
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
标记： KN
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
•
重量：的逼近0.011克
方法2026
尺寸以英寸（毫米）
KN
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
无铅封装可用
符号
评级
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH
标识代码
12
13
14
15
16
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
20
30
40
50
60
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
V
RRM
V
RMS
18
80
56
10
100
70
115
150
105
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
14
21
28
35
42
该
最大
*保护二极管中包含的
V
DC
栅极和源极端子，以防止静电的二极管
阻断电压DC
20
30
40
50
60
80
100
150
最大
当产品处于使用中。用保护电路的固定电压被超过时。
正向平均整流电流
I
O
1.0
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大额定值（T
a
=25℃
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
符号
30
安培
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
除非另有说明）
典型结电容（注1 ）
-55到+125
符号
40
120
-55到+150
℃/W
PF
参数
漏源电压
栅源电压
特征
V
V
GS
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
±20
FM120-MH
FM130-MH
I
D
0.50
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
0.70
0.5
10
V
DS
-
65
到+175
价值
单位
℃
℃
单位
伏
毫安
30
在正向电压最大
当前
连续漏极
1.0A DC
额定阻断电压DC
V
F
@T A = 125 ℃
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
±100
0.15
833
150
0.85
0.9
mA
0.92
功耗
I
R
W
℃/W
℃
从结点到环境的热阻
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
结温
储存温度
2-热阻结点到环境
* Pw≤10μs
，职务cycle≤1 ％
-55 ~+150
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
