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    WCSS0232V1P 参数 Datasheet PDF下载

    WCSS0232V1P图片预览
    型号： WCSS0232V1P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64K ×32的同步流水线高速缓存RAM [64K x 32 Synchronous-Pipelined Cache RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 14 页 / 373 K
    品牌： WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
     浏览型号WCSS0232V1P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号WCSS0232V1P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号WCSS0232V1P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号WCSS0232V1P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号WCSS0232V1P的Datasheet PDF文件第8页浏览型号WCSS0232V1P的Datasheet PDF文件第9页浏览型号WCSS0232V1P的Datasheet PDF文件第10页浏览型号WCSS0232V1P的Datasheet PDF文件第11页  
    :
    WCSS0232V1P
    电气特性
    在整个工作范围
    参数
    V
    DD
    V
    DDQ
    V
    OH
    V
    OL
    V
    IH
    V
    IL
    I
    X
    描述
    电源电压
    I / O电源电压
    输出高电压
    输出低电压
    输入高电压
    输入低电压
    [7]
    输入负载电流
    除ZZ和MODE
    GND
    ≤
    V
    I
    ≤
    V
    DDQ
    3.3V
    −5%/+10%
    3.3V
    −5%/+10%
    V
    DD
    =最小值，我
    OH
    =
    −4.0
    mA
    V
    DD
    =最小值，我
    OL
    = 8.0毫安
    2.0
    –0.3
    −5
    –30
    5
    –5
    30
    −5
    7.5 ns的周期， 133 MHz的
    10 ns的周期， 100兆赫
    13.3 ns的周期， 75兆赫
    I
    SB1
    自动CS
    掉电
    目前-TTL输入
    最大。 V
    DD
    ，设备选中，
    V
    IN
    ≥
    V
    IH
    或V
    IN
    ≤
    V
    IL
    f = f
    最大
    = 1/t
    CYC
    7.5 ns的周期， 133 MHz的
    10 ns的周期， 100兆赫
    13.3 ns的周期， 75兆赫
    所有速度
    5
    325
    260
    260
    60
    50
    50
    5
    测试条件
    分钟。
    3.135
    3.135
    2.4
    0.4
    V
    DDQ
    +
    0.3V
    0.8
    5
    马克斯。
    3.6
    3.6
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    µA
    µA
    µA
    µA
    µA
    µA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    模式输入输入电流= V
    SS
    输入= V
    DDQ
    ZZ的输入电流
    I
    OZ
    I
    DD
    输出漏
    当前
    V
    DD
    工作电源
    当前
    输入= V
    SS
    输入= V
    DDQ
    GND
    ≤
    V
    I
    ≤
    V
    DDQ ，
    输出禁用
    V
    DD
    =最大，我
    OUT
    = 0 mA时，
    f = f
    最大
    = 1/t
    CYC
    I
    SB2
    自动CS
    最大。 V
    DD
    ，设备选中，
    掉电
    V
    IN
    ≤
    0.3V或V
    IN
    ＆ GT ; V
    DDQ
    – 0.3V,
    目前， CMOS输入F = 0
    自动CS
    最大。 V
    DD
    ，设备选中，或
    掉电
    V
    IN
    ≤
    0.3V或V
    IN
    ＆ GT ; V
    DDQ
    – 0.3V
    目前， CMOS输入端F = F
    最大
    = 1/t
    CYC
    自动CS
    掉电
    目前-TTL输入
    最大。 V
    DD
    ，设备选中，
    V
    IN
    ≥
    V
    IH
    或V
    IN
    ≤
    V
    IL
    , f = 0
    I
    SB3
    7.5 ns的周期， 133 MHz的
    10 ns的周期， 100兆赫
    13.3 ns的周期， 75兆赫
    40
    30
    30
    25
    mA
    mA
    mA
    mA
    I
    SB4
    电容
    [9]
    参数
    C
    IN
    C
    CLK
    C
    I / O
    描述
    输入电容
    时钟输入电容
    输入/输出电容
    测试条件
    T
    A
    = 25 ° C，F = 1MHz时，
    V
    DD
    = 3.3V,
    V
    DDQ
    = 3.3V
    马克斯。
    4
    4
    4
    单位
    pF
    pF
    pF
    注意：
    9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
    7

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