:
WCSS0232V1P
线性突发序列
第一次
地址
A
[1:0]
00
01
10
11
第二
地址
A
[1:0]
01
10
11
00
第三
地址
A
[1:0]
10
11
00
01
第四
地址
A
[1:0]
11
00
01
10
睡眠模式
ZZ的输入引脚是一个异步输入。断言ZZ plac-
西文中功率节省“睡眠”模式中的SRAM 。两个时钟
指令周期才能从这个“休眠”模式进入或退出。
在此模式下，数据的完整性是有保证。访问
当进入“休眠”模式下，不考虑待处理
有效的，也不是在完成所保证的操作。该
设备之前必须进入“休眠”模式取消选择。
CE
1
，CE
2
，CE
3,
ADSP和ADSC必须保持非活动状态的
吨的持续时间
ZZREC
之后， ZZ输入返回低电平。
ZZ模式电气特性
参数
I
DDZZ
t
ZZS
t
ZZREC
描述
贪睡模式
待机电流
设备操作
ZZ
ZZ恢复时间
测试条件
ZZ > V
DD
−
0.2V
ZZ > V
DD
−
0.2V
ZZ < 0.2V
2t
CYC
民
最大
3
2t
CYC
单位
mA
ns
ns
周期说明
[1,2,3]
下一个周期
未选中
未选中
未选中
未选中
未选中
开始阅读
开始阅读
继续阅读
继续阅读
继续阅读
继续阅读
暂停阅读
暂停阅读
暂停阅读
暂停阅读
开始写
开始写
开始写
继续写
继续写
挂起写
挂起写
ZZ “睡眠”
添加。二手
无
无
无
无
无
外
外
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
当前
当前
当前
当前
当前
当前
外
NEXT
NEXT
当前
当前
无
ZZ
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
CE
3
X
1
X
1
X
0
0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
X
X
X
X
X
CE
2
X
X
0
X
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
1
X
X
X
X
X
CE
1
1
0
0
0
0
0
0
X
X
1
1
X
X
1
1
X
1
0
X
1
X
1
X
ADSP
X
0
0
1
1
0
1
1
1
X
X
1
1
X
X
1
X
1
1
X
1
X
X
ADSC
0
X
X
0
0
X
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
1
1
1
X
ADV
X
X
X
X
X
X
X
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
X
0
0
1
1
X
OE
X
X
X
X
X
X
X
1
0
1
0
1
0
1
0
X
X
X
X
X
X
X
X
DQ
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
DQ
高阻
DQ
高阻
DQ
高阻
DQ
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
写
X
X
X
X
X
X
读
读
读
读
读
读
读
读
读
写
写
写
写
写
写
写
X
注意事项：
1， X = “无所谓” ， 1 = HIGH ， 0 =低。
2.写由BWE ， BW定义
[3:0]
和GW 。见写周期说明表。
3. DQ管脚由当前周期和所述参考信号的控制。 OE是异步的，并且不采样的时钟。
5
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
