WCFS0808C1E
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境温度
[2]
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[3]
WCFS0808C1E为12ns
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入负载
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
电流 - TTL
输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
160
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
WCFS0808C1E为15ns
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
155
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
I
SB1
Com'l
最大。 V
CC
,
CE > V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
Com'l
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
30
30
mA
I
SB2
10
10
mA
]
电容
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
第10 2
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
