S0808C1E
WCFS0808C1E
32K x 8静态RAM
特点
•高速
= 12 ns的
•快速吨
美国能源部
• CMOS的最佳速度/功耗
•易于内存扩展CE和OE特点
• TTL兼容的输入和输出
•自动断电时取消
自动断电功能，降低了功率变
消耗了81％的时候取消。该WCFS0808C1E是
标准SOJ包装。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE和WE输入
上的八个数据输入/输出管脚（都为低，数据I / O的
0
通过I / O
7
）写入到由寻址的存储器位置
地址本上的地址引脚（A
0
至A
14
).
读出装置通过选择装置来实现
并启用输出， CE和OE低电平有效，虽然我们
保持非活动状态还是很高的。在这些条件下， CON组
位置帐篷解决了地址上的信息
引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。模头涂布用于改善阿尔法免疫力。
功能说明
的WCFS0808C1E是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 32K字。简单的内存扩展
由低电平有效的芯片提供使能（ CE）和低电平有效
输出使能（ OE ）和三态驱动器。此设备具有
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
1024 x 32 x 8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
A
10
A
12
A
13
A
11
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
WCFS0808C1E为12ns
12
160
10
WCFS0808C1E为15ns
15
155
10
A
14
修订后的2002年2月18日
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
