VG36641641DT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG36641641DT
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	69 页 / 1363 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT

CMOS Synchronous Dynamic RAM

VIS

READ to WRITE Command Interval

CAS latency=2

CLK

Read

Write

Command

DQM

Hi-Z

1 cycle

Burst length=8, CAS latency=2

T8 T9

CLK

Command

DQM

Write

Read

Hi-Z is

necessary

example: Burst length=4, CAS latency=3

CLK

Command

Read

Write

DQM

Hi-Z is

necessary

Document :1G5-0177

Rev.2

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