VG36128401BT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG36128401BT
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	68 页 / 1356 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VG36128401BT / VG36128801BT / VG36128161BT

CMOS Synchronous Dynamic RAM

VIS

AC Characteristics (Ta = 0 ~ 70°C, V = V

= 3.3± 0.3V , V = V

= 0V, unless otherwise noted)

SSQ

DDQ

Test Conditions

AC input Levels (V_IH/V_IL)

2.0 / 0.8V

1ns

Input timing reference level /

Output timing reference level

1.4V

Input rise and fall time

Output load condition

50pF

Output Load Conditions

V_DDQ

DDQ

OUT

Z = 50

Device

Under

Test

50PF

Document :1G5-0183

Rev.1

Page7

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