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IRFB11N50APBF 参数 Datasheet PDF下载

IRFB11N50APBF图片预览
型号: IRFB11N50APBF
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 160 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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IRFB11N50A , SiHFB11N50A
Vishay Siliconix公司
E
AS
,单脉冲雪崩能量(兆焦耳)
600
顶部
500
底部
ID
4.9A
7.0A
11A
10
V
Q
GS
Q
G
400
Q
GD
300
V
G
200
收费
100
图。 13A - 基本栅极电荷波形
0
25
50
75
100
125
150
电流调节器
同类型D.U.T.
起始物为
J
,结温(
°
C)
图。 12C - 最大雪崩能量与漏电流
50 kΩ
12
V
0.2
µF
0.3
µF
660
D.U.T.
+
V
-
DS
V
DSav
,雪崩
电压
(V)
V
GS
640
3毫安
620
I
G
I
D
电流采样电阻器
图。 13B - 栅极电荷测试电路
600
580
0.0
A
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
I
av
,雪崩电流( A)
图。 12D - 典型的漏 - 源极电压与雪崩
当前
www.vishay.com
6
文档编号: 91094
S- 81243 -REV 。 B, 21 -JUL- 08