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    IRFB11N50APBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRFB11N50APBF图片预览
    型号： IRFB11N50APBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET [Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 160 K
    品牌： VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
     浏览型号IRFB11N50APBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFB11N50APBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFB11N50APBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFB11N50APBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFB11N50APBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFB11N50APBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFB11N50APBF的Datasheet PDF文件第8页  
    IRFB11N50A ， SiHFB11N50A
    Vishay Siliconix公司
    2400
    2000
    C，电容（pF ）
    国际空间站
    1600
    I
    SD
    ，反向漏电流（ A）
    V
    GS
    = 0V,
    F = 1MHz的
    C
    国际空间站
    = C
    gs
    + C
    gd
    , C
    ds
    短
    C
    RSS
    = C
    gd
    C
    OSS
    = C
    ds
    + C
    gd
    100
    10
    OSS
    1200
    T
    J
    = 150
    °
    C
    800
    1
    T
    J
    = 25
    °
    C
    RSS
    400
    0
    1
    10
    100
    1000
    A
    0.1
    0.0
    V
    GS
    = 0
    V
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    V
    DS
    ，漏 - 源
    电压
    (V)
    图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
    V
    SD
    ，源极到漏极
    电压
    (V)
    图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
    20
    I
    D
    = 6.6A
    V
    DS
    = 400V
    V
    DS
    = 250V
    V
    DS
    = 100V
    1000
    V
    GS
    ，栅 - 源
    电压
    (V)
    在这一领域有限
    由R
    DS （ ON）
    16
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    100
    10us
    10
    100us
    1ms
    1
    10ms
    12
    8
    4
    0
    0
    10
    20
    测试电路
    见图13
    30
    40
    50
    0.1
    T
    C
    = 25 ° C
    T
    J
    = 150° C
    单脉冲
    10
    100
    1000
    10000
    Q
    G
    ，总栅极电荷（ NC）
    图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
    V
    DS
    ，漏 - 源
    电压
    (V)
    图。 8 - 最高安全工作区
    www.vishay.com
    4
    文档编号： 91094
    S- 81243 -REV 。 B， 21 -JUL- 08

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