IRFB11N50APBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFB11N50APBF
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内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	8 页 / 160 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]

IRFB11N50A ， SiHFB11N50A

Vishay Siliconix公司

典型特征

25 ℃，除非另有说明

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

，漏极 - 源极电流（A ）

= 150

= 25

0.1

4.5V

20μs的脉冲

宽度

= 25

100

0.1

4.0

DS = 50V

20μs的脉冲

宽度

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

，漏 - 源

电压

(V)

图。 1 - 典型的输出特性

，栅 - 源

电压

(V)

图。 3 - 典型的传输特性

100

顶部

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

3.0

= 11A

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

4.5V

20μs的脉冲

宽度

= 150

100

0.0

-60 -40 -20

= 10V

100 120 140 160

，漏 - 源

电压

(V)

图。 2 - 典型的输出特性

，结温（

图。 4 - 归通电阻与温度的关系

文档编号： 91094

S- 81243 -REV 。 B， 21 -JUL- 08

www.vishay.com

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