V23990-P588-A41-PM 参数 Datasheet PDF下载

型号：	V23990-P588-A41-PM
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内容描述：	[Insulated Gate Bipolar Transistor]
分类和应用：	栅
文件页数/大小：	22 页 / 626 K
品牌：	VINCOTECH [ VINCOTECH ]

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V23990-P588-A41-PM

preliminary datasheet

Output Inverter

Figure 25

Output inverter IGBT

Figure 26

Output inverter IGBT

Gate voltage vs Gate charge

Safe operating area as a function

of collector-emitter voltage

I_C= f(V_CE

)

V_GE= f(Q_g)

17.5

100.00

12.5

10.00

1.00

0.10

100u

240V

960V

1mS

10mS

100mS

7.5

2.5

0.01

100

Q _g(nC)

V_CE(V)

100

1000

10000

I_C

D =

Th =

single pulse

ºC

V_GE

T_j=

±15

T_jmax

ºC

Revision: 1

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