V23990-K249-A-0B-PM 参数 Datasheet PDF下载

型号：	V23990-K249-A-0B-PM
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内容描述：	[IGBT3 technology for low saturation losses]
分类和应用：	双极性晶体管
文件页数/大小：	17 页 / 2155 K
品牌：	VINCOTECH [ VINCOTECH ]

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V23990-K249-A-PM

T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7 / D1,D2,D3,D4,D5,D6,D7

Figure 25

T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7 IGBT

Figure 26

T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7 IGBT

Gate voltage vs Gate charge

Safe operating area as a function

of collector-emitter voltage

I_C= f(V_CE

)

V_GE= f(Q_GE

)

10³

240V

960V

100mS

1mS

10mS

100uS

17,5

10²

12,5

10¹

10⁰

7,5

10^-1

2,5

140

210

280

350

420

10⁰

10³

10¹

10²

Q _g(nC)

V_CE(V)

I_C

D =

T_h=

single pulse

ºC

V_GE

T_j=

±15

T_jmax

ºC

Revision: 2.1

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