SI7430DP_13 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SI7430DP_13
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内容描述：	N沟道150 V（ D- S）的MOSFET [N-Channel 150 V (D-S) MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 170 K
品牌：	VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]

Si7430DP

Vishay Siliconix公司

典型特征

（25℃ ，除非另有说明）

占空比= 0.5

ormalized Effecti

ê瞬态

热阻抗

0.2

0.1

0.05

1.占空比D =

注意事项：

0.1

0.02

2.每单位基础= R

thJA

= 65 ° C / W

3. T

- T

= P

thJA （T ）

4.表层嵌

0.01

-4

-3

-2

单脉冲

-1

方

WAVE

脉冲持续时间（ S）

100

1000

归瞬态热阻抗，结到环境

占空比= 0.5

ormalized Effecti

ê瞬态

热阻抗

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

0.01

-4

-3

-2

方

WAVE

脉冲持续时间（ S）

-1

归瞬态热阻抗，结至外壳

日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据

技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并

可靠性数据，请参见

www.vishay.com/ppg?74282.

www.vishay.com

文档编号： 74282

S11-0212 -REV 。 C， 14 -FEB- 11

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