SI7430DP_13 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SI7430DP_13
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内容描述：	N沟道150 V（ D- S）的MOSFET [N-Channel 150 V (D-S) MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 170 K
品牌：	VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]

Si7430DP

Vishay Siliconix公司

典型特征

（25℃ ，除非另有说明）

100

DS （ ON）

- 漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）

0.20

= 5 A

0.16

- 源电流（ A）

= 150 °C

= 25 °C

0.12

= 125 °C

0.08

= 25 °C

0.1

0.01

0.04

0.001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

0.00

- 栅极 - 源极

电压

(V)

- 源极到漏极

电压

(V)

源极 - 漏极二极管正向电压

1.0

200

导通电阻与栅极至源极电压

0.5

160

GS （ TH）

(V)

ER （

)

0.0

= 5毫安

120

- 0.5

- 1.0

- 1.5

- 50

- 25

100

125

150

0.001

0.01

0.1

时间（s）

- 温度（℃ ）

阈值电压

100

有限

DS （ ON）

- 漏电流（ A）

单脉冲功率，结到环境

1毫秒

10毫秒

100毫秒

0.1

= 25 °C

单脉冲

0.01

0.1

100

10 s

1000

- 漏 - 源

电压

(V)

>最低

哪

DS （ ON）

为特定网络版

安全工作区，结到环境

www.vishay.com

文档编号： 74282

S11-0212 -REV 。 C， 14 -FEB- 11

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