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SI7430DP_13 参数 Datasheet PDF下载

SI7430DP_13图片预览
型号: SI7430DP_13
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内容描述: N沟道150 V( D- S)的MOSFET [N-Channel 150 V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 170 K
品牌: VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
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Si7430DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
(25℃ ,除非另有说明)
60
V
GS
= 10
V
到7
V
48
I
D
- 漏电流( A)
0.9
36
V
GS
= 6
V
I
D
- 漏电流( A)
T
C
= 125 °C
0.6
1.2
24
T
C
= 25 °C
0.3
T
C
= - 55 °C
12
V
GS
= 5
V
0
0
1
2
3
4
5
0.0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.055
2000
传输特性
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.051
Ç - 电容(pF )
1600
C
国际空间站
0.047
V
GS
=
8 V
0.043
V
GS
= 10
V
0.039
1200
800
C
RSS
400
C
OSS
0.035
0
10
20
30
40
50
60
0
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏电流( A)
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 5 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
V
DS
= 75
V
6
V
DS
= 100
V
R
DS ( ON)
- 导通电阻
(归一化)
V
DS
= 50
V
2.1
2.5
I
D
= 5 A
电容
V
GS
= 10
V
1.7
4
1.3
V
GS
=
8 V
2
0.9
0
0
6
12
18
24
30
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
T
J
- 结温( ° C)
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号: 74282
S11-0212 -REV 。 C, 14 -FEB- 11
www.vishay.com
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