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型号: 7N60
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内容描述: 7.4安培, 600/650伏特N沟道功率MOSFET [7.4 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 184 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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7N60
电气特性(续)
参数
符号
测试条件
开关特性
总栅极电荷
Q
G
V
DS
= 480V ,我
D
= 7.4A ,V
GS
=10 V
栅极 - 源电荷
Q
GS
(注1,2)
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
漏源二极管的特性和最大额定值
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V时,我
S
= 7.4 A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0V时,我
S
= 7.4 A,
dI
F
/ DT = 100A / μs的(注1 )
反向恢复电荷
Q
RR
注:1.脉冲测试:脉冲width≤300μs ,职务cycle≤2 %
2.基本上是独立工作温度
功率MOSFET
最小典型最大单位
29
7
14.5
38
nC
nC
nC
V
A
A
ns
μC
1.4
7.4
29.6
320
2.4
分类的R
DS ( ON)
价值
-
1.0Ω
F
1.2Ω
M
1.2Ω
Q
1.2Ω
R
1.0Ω
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3 6
QW-R502-076,Ja