UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
7N60
7.4安培， 600/650伏特
N沟道功率MOSFET
1
功率MOSFET
TO-220
描述
在UTC
7N60
是一个高电压MOSFET ，并设计成
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常用在高速
开关应用在开关电源和适配器。
1
TO-220F
特点
* R
DS （ ON）
= 1.0Ω
@V
GS
= 10 V （ 7N60 / 7N60 -R ）
R
DS （ ON）
= 1.2Ω
@V
GS
= 10 V （ 7N60 -F / 7N60 -M / 7N60 -Q ）
*超低栅极电荷（典型的29 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
= 16pF的典型）
*快速开关能力
*雪崩能量测试
*改进dv / dt能力，高耐用性
1
TO-220F1
1
TO-262
符号
1
TO-263
订购信息
订购数量
无铅
无卤
7N60L-x-TA3-T
7N60G-x-TA3-T
7N60L-x-TF3-T
7N60G-x-TF3-T
7N60L-x-TF1-T
7N60G-x-TF1-T
7N60L-x-T2Q-T
7N60G-x-T2Q-T
7N60L-x-TQ2-R
7N60G-x-TQ2-R
7N60L-x-TQ2-T
7N60G-x-TQ2-T
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
TO-220
TO-220F
TO-220F1
TO-262
TO-263
TO-263
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
管
带盘
管
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1 6
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