7N60
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
符号
功率MOSFET
评级
单位
7N60-A
600
V
漏源电压
V
DSS
7N60-B
650
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流（注2）
I
AR
7.4
A
连续
I
D
7.4
A
漏电流
29.6
A
脉冲（注2）
I
DM
单脉冲（注3 ）
E
AS
530
mJ
雪崩能量
重复的（注2）
E
AR
14.2
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220/TO-262/TO-263
142
W
功耗
P
D
TO-220F/TO-220F1
48
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 19.5mH ，我
AS
= 7.4A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
Ω,
起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤7.4A,
DI / dt≤200A / μs的，V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
TO-220/TO-262/TO-263
结到环境
TO-220F/TO-220F1
TO-220/TO-262/TO-263
结到外壳
TO-220F/TO-220F1
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
62.5
0.88
2.6
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
7N60-A
7N60-B
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
最小典型最大单位
600
650
1
100
-100
0.67
2.0
4.0
1.0
1.2
1.2
1.2
1.0
1400
180
21
70
170
140
130
V
V
μA
nA
nA
V /°C的
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
2 6
QW-R502-076,Ja
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
前锋
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
栅源漏电流
I
GSS
反向
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
击穿电压温度
I = 250μA ，
ΔBV
DSS
/△T
J·D
系数
参考25 ℃下
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
7N60
7N60-F
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.7A 7N60 -M
7N60-Q
7N60-R
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0 MHz的
16
V
DD
= 300V ，我
D
= 7.4A ，R
G
=25Ω
（注1,2）
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