4N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	4N60
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内容描述：	4安培， 600/650伏特N沟道功率MOSFET [4 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 392 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

4N60

典型特征

击穿电压的变化对比

温度

1.2

漏源击穿电压，

DSS

（归一化）（V）的

漏源导通电阻，

DS （ ON）

（归一化）（ Ω ）

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-100

功率MOSFET

导通电阻结温

1.1

1.0

0.9

注意：

1. V

=0V

2. I

=250µA

-50

100

150

200

注意：

1. V

=10V

2. I

=4A

-50

100

150

200

0.8

-100

结温，T

(°С)

结温，T

(°С)

通态特性

10V

5.5V

5 V Bottorm ： 5.0V

TOP ：

传输特性

25°С

5.0V

150°С

0.1

注意事项：

1. 250μs的脉冲测试

2. T

=25

°С

0.1

注意事项：

1. V

=50V

2. 250μs的脉冲测试

0.1

漏极至源极电压，V

(V)

栅源电压，V

(V)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

6 8

QW-R502-061,N

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