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型号: 4N60
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内容描述: 4安培, 600/650伏特N沟道功率MOSFET [4 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 392 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
4N60
4安培, 600/650伏特
N沟道功率MOSFET
1
功率MOSFET
TO-220
描述
在UTC
4N60
是一个高电压MOSFET ,并设计成
有更好的特性,如快速开关时间,低门
电荷,低通态电阻,并具有高耐用雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常用在高速
开关电源中的应用, PWM马达控制,高
高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
1
1
TO-220F
TO-220F1
特点
* R
DS ( ON)
= 2.5Ω
@V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷(典型的15 NC)
*低反向传输电容(C
RSS
=典型8.0 pF的)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
1
1
TO-251
TO-252
符号
2.Drain
1
1
TO-263
TO-262
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
4N60L-x-TA3-T
4N60G-x-TA3-T
4N60L-x-TF1-T
4N60G-x-TF1-T
4N60L-x-TF3-T
4N60G-x-TF3-T
4N60L-x-TM3-T
4N60G-x-TM3-T
4N60L-x-TN3-R
4N60G-x-TN3-R
4N60L-x-T2Q-T
4N60G-x-T2Q-T
4N60L-x-TQ3-R
4N60G-x-TQ3-R
4N60L-x-TQ3-T
4N60G-x-TQ3-T
注:引脚分配: G:门D:漏极S:源
TO-220
TO-220F1
TO-220F
TO-251
TO-252
TO-262
TO-263
TO-263
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
带盘
带盘
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©2010 Unisonic技术有限公司
1第8
QW - R502-061 ,N