4N60
绝对最大额定值
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
参数
4N60-A
漏源电压
4N60-B
栅源电压
雪崩电流（注2）
连续
漏电流
脉冲（注2）
符号
功率MOSFET
评级
单位
600
V
V
DSS
650
V
V
GSS
±30
V
I
AR
4.4
A
I
D
4.0
A
16
A
I
DM
4N60
260
mJ
单脉冲（注3 ）
E
AS
雪崩能量
4N60-E
200
mJ
重复的（注2）
E
AR
10.6
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220/TO-262/TO-263
106
W
TO-220F/TO-220F1
36
W
功耗
P
D
TO-251
50
W
TO-252
50
W
结温
T
J
+150
°С
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 30mH ，我
AS
= 4A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
Ω,
起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤4.4A,
的di / dt
≤200A/μs,
V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
包
TO-220/TO-262/TO-263
TO-220F/TO-220F1
TO-251
TO-252
TO-220/TO-262/TO-263
TO-220F/TO-220F1
TO-251
TO-252
符号
4N60-A
4N60-B
前锋
反向
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
符号
θ
JA
评级
62.5
62.5
83
83
1.18
3.47
2.5
2.5
单位
°С/W
°С/W
°С/W
°С/W
°С/W
°С/W
°С/W
°С/W
最小典型最大单位
600
650
10
100
-100
0.6
2.0
4.0
2.5
520
70
8
670
90
11
V
V
μA
nA
nA
V/°С
V
Ω
pF
pF
pF
结到外壳
θ
Jc
电气特性
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1mHz的
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2第8
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