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    10N80L-TF1-T 参数 Datasheet PDF下载

    10N80L-TF1-T图片预览
    型号： 10N80L-TF1-T
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    内容描述： 800V N沟道功率MOSFET [800V N-CHANNEL POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 6 页 / 194 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号10N80L-TF1-T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号10N80L-TF1-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号10N80L-TF1-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号10N80L-TF1-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号10N80L-TF1-T的Datasheet PDF文件第5页  
    10N80
    典型特征
    漏极电流与源极到漏极电压
    10
    8
    6
    5
    4
    3
    功率MOSFET
    漏极 - 源极导通状态
    阻力特性
    V
    GS
    =10V,
    I
    D
    =5A
    4
    2
    0
    0
    2
    1
    0
    200
    800
    源极到漏极电压，V
    SD
    （毫伏）
    400
    600
    1000
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    漏源极电压，V
    DS
    (V)
    漏极电流与漏源
    击穿电压
    400
    350
    300
    250
    200
    150
    100
    50
    漏极电流与栅极阈值电压
    3
    2.5
    2
    1.5
    1
    0.5
    0
    0
    1
    2
    3
    栅极阈值电压，V
    TH
    (V)
    4
    0
    0
    600
    800
    1000
    漏源击穿电压BV
    DSS
    (V)
    200
    400
    UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
    超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
    其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
    在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
    这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
    不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
    本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
    可靠，可恕不另行通知。
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
    www.unisonic.com.tw
    6 6
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