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    10N80L-TF1-T 参数 Datasheet PDF下载

    10N80L-TF1-T图片预览
    型号： 10N80L-TF1-T
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    内容描述： 800V N沟道功率MOSFET [800V N-CHANNEL POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 6 页 / 194 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号10N80L-TF1-T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号10N80L-TF1-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号10N80L-TF1-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号10N80L-TF1-T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号10N80L-TF1-T的Datasheet PDF文件第6页  
    10N80
    电气特性（续）
    参数
    符号
    测试条件
    源 - 漏二极管额定值和特性
    漏源二极管的正向电压
    V
    SD
    I
    S
    = 10.0 A，V
    GS
    =0V
    最大连续漏源二极管
    I
    S
    正向电流
    最大脉冲漏源极二极管
    I
    SM
    正向电流
    V
    GS
    = 0 V ，二
    F
    / DT = 100 A / μs的，
    反向恢复时间
    t
    RR
    I
    S
    = 10.0 （注1 ）
    反向恢复电荷
    Q
    RR
    注：1.脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300μS ，占空比
    ≤
    2%.
    2，独立工作温度。
    功率MOSFET
    民
    典型值
    最大单位
    1.4
    10.0
    A
    40.0
    730
    10.9
    ns
    nC
    V
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
    www.unisonic.com.tw
    3 6
    QW-R502-218.D

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