10N80
绝对最大额定值
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
800
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
连续漏电流（T
C
= 25°С)
I
D
10
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
40
A
雪崩电流（注2）
I
AR
10
A
单脉冲（注3 ）
E
AS
920
mJ
雪崩能量
24
mJ
重复的（注2）
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.0
V / ns的
TO-3P
240
功耗
W
TO-220F1
36
P
D
TO-3P
1.92
°С/W
线性降额因子牛逼以上
C
= 25°С
TO-220F1
0.288
结温
T
J
150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。
3. L = 17.3mH ，我
AS
= 10A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ， Satarting牛逼
J
=25°C
4. I
SD
≤
10 A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
ΔBV
DSS
， Satarting牛逼
J
=25°C.
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-3P
TO-220F1
TO-3P
TO-220F1
符号
θ
JA
θ
JC
评级
40
62.5
0.52
3.47
单位
°С/W
°С/W
电气特性
(T
J
= 25° С ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
门体漏电流
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
门源电荷
闸漏极电荷
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
ΔBV
DSS
/ΔT
J
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
GD
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=250 µA
V
DS
=800V, V
GS
=0 V
V
DS
= 640V ，T
C
=125°C
V
DS
=0 V, V
GS
= ±30 V
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 µA
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.0 A
3.0
0.93
民
800
10
100
±100
0.98
5.0
1.1
典型值
最大单位
V
µA
nA
毫伏/ °С
V
Ω
pF
pF
pF
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
2150 2800
180
230
15
20
50
130
90
80
45
13.5
17
110
270
190
170
58
V
DD
= 400V ，我
D
=10.0A,
R
G
= 25Ω （注1,2 ）
V
DS
=640V, V
GS
=10V,
I
D
= 10.0A （注1,2 ）
ns
nC
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2 6
QW-R502-218.D
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
