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    50N06G-TN3-R 参数 Datasheet PDF下载

    50N06G-TN3-R图片预览
    型号： 50N06G-TN3-R
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 50安培， 60伏特N沟道功率MOSFET [50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
    文件页数/大小： 8 页 / 326 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号50N06G-TN3-R的Datasheet PDF文件第1页浏览型号50N06G-TN3-R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号50N06G-TN3-R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号50N06G-TN3-R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号50N06G-TN3-R的Datasheet PDF文件第6页浏览型号50N06G-TN3-R的Datasheet PDF文件第7页浏览型号50N06G-TN3-R的Datasheet PDF文件第8页  
    50N06
    TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS
    Power MOSFET
    D.U.T.
    +
    V
    DS
    -
    +
    -
    L
    R
    G
    Driver
    V
    GS
    Same Type
    as D.U.T.
    * dv/dt controlled by R
    G
    * I
    SD
    controlled by pulse period
    * D.U.T.-Device Under Test
    V
    DD
    Fig. 1A Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
    V
    GS
    (Driver)
    Period
    P.W.
    D=
    P. W.
    Period
    V
    GS
    = 10V
    I
    FM
    , Body Diode Forward Current
    I
    SD
    (D.U.T.)
    I
    RM
    Body Diode Reverse Current
    di/dt
    Body Diode Recovery dv/dt
    V
    DS
    (D.U.T.)
    V
    DD
    Body Diode
    Forward Voltage Drop
    Fig. 1B Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
    www.unisonic.com.tw
    4 of 8
    QW-R502-088.E

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