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    1N60A_09 参数 Datasheet PDF下载

    1N60A_09图片预览
    型号： 1N60A_09
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    内容描述： 0.5安培， 600/650伏特N沟道MOSFET [0.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 224 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号1N60A_09的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1N60A_09的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N60A_09的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N60A_09的Datasheet PDF文件第5页浏览型号1N60A_09的Datasheet PDF文件第6页浏览型号1N60A_09的Datasheet PDF文件第7页浏览型号1N60A_09的Datasheet PDF文件第8页  
    1N60A
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Cont.)
    PARAMETER
    SYMBOL
    TEST CONDITIONS
    SOURCE- DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
    Drain-Source Diode Forward Voltage
    V
    SD
    V
    GS
    =0V, I
    SD
    = 1.2A
    Maximum Continuous Drain-Source Diode
    I
    S
    Forward Current
    Maximum Pulsed Drain-Source Diode
    I
    SM
    Forward Current
    Reverse Recovery Time
    t
    RR
    V
    GS
    =0V, I
    SD
    = 1.2A
    di/dt = 100A/μs
    Reverse Recovery Charge
    Q
    RR
    Notes: 1. Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤2%
    2. Essentially independent of operating temperature.
    MIN
    Power MOSFET
    TYP
    MAX
    1.6
    1.2
    4.8
    UNIT
    V
    A
    A
    ns
    μC
    136
    0.3
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
    www.unisonic.com.tw
    3 of 8
    QW-R502-091,E

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