CHM2179b
典型的偏置和IF配置
W波段混频器
几个外部配置是可能的偏见和IF 。的目的是为了得到
灵活的集成。
作为这个分量主要致力于低IF的使用，有几种可能性
与IF放大器低噪声接口。最佳IF负载转换损耗为200Ω ，
然而，根据IF放大器噪声特性该负载可以为了进行修改，
优化噪声系数。一系列的电容器，中频输出与负载之间的建议。
由于高灵敏度的电气放电的集成电阻用于与两个端口
可用于偏置。一个是用于去耦电容器的连接（ C-EXT ）和
另一种是用于通过外部串联电阻（ + V端口）电源电压的连接。
然而，为了保持与CHM2179的相容性，只有“ C-EXT ”端口可以是
使用。
+V
C_BIAS
R_bias1
C_EXT
+V
1k
R_load_IF
+V
R_load_IF
C_IF
IF
C_BIAS
R_bias2
C_IF
IF
C_EXT
+V
1k
LO
RF
LO
RF
推荐外部偏置和
IFconfiguration
其他可能的配置
（与以前的版本兼容）
外部元件的推荐值是：
C_BIAS
R_bias1
R_bias2
R_load_IF
R_bias * C >> 1 / F_IF
2.9kΩ电流为1mA的电流消耗（V = 4.5V ，典型的LO
电源）
R_bias2 = R_bias1 + 1kΩ的
从50到200Ω
注释：
1. R_bias = R_bias1 + 1kΩ的时候“ + V”口时， otherwize R_bias = R_bias2
2. R_bias可以根据需要进行调整;这允许优化性能的一些时
参数是从推荐的人（电源电压， LO功率...）不同。但
对于当前的最大额定值，必须考虑到。
3.推荐使用DC去耦电容串联在中频输出。
参考文献。 ： DSCHM2179b6013 - 06年1月13日
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