CHM2179b
符合RoHS
W波段混频器
GaAs单片微波IC
描述
该CHM2179b是单通道混频器。
该结构是一个平衡混频器的基础上
六四分之一波环。该非线性
设备是高品质的肖特基二极管
提供低转换损耗非常低
nd
1 / f噪声。
这个电路与BES-制
MMIC工艺： 1微米肖特基二极管器件，
空气桥，通孔穿过基底，
步进光刻。
它是在芯片的形式提供。
LO
RF
IF
主要特点
¦
W波段LO和RF频率范围
¦
低转换损耗
¦
如果从DC到100MHz的
¦
高LO / RF隔离
¦
高LO / AM噪声抑制
¦
非常低中频噪声
¦
低LO输入功率
¦
自动装配导向
¦
BCB层保护
¦
小的芯片尺寸： 1.53 X 1.17 X 0.10毫米
主要特点
TAMB 。 = + 25°C
符号
F_lo ， F_rf
F_IF
Lc
I_lo / RF
N_if
参数
LO ， RF频率
IF频率范围
转换损耗
LO / RF隔离
中频噪声@ 100kHz的
民
76
[DC;100]
典型值
76.5
最大
77
单位
GHz的
兆赫
8
22
-162
dB
dB
dBm / Hz计
参考文献。 ： DSCHM2179b6013 - 06年1月13日
1/9
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
