W波段混频器
电气特性
CHM2179b
整个工作温度范围内，根据部分“典型安装和使用偏置
CON组fi guration “
符号
F_lo ， F_rf
F_IF
Lc
P_LO
P_RF_1dB
VSWR_lo
VSWR_rf
IMP_if
I_lo / RF
R_lo_am
NF
参数
LO ， RF频率
IF频率范围
转换损耗
LO输入功率
在1分贝RF输入功率
LO端口驻波比（ 50Ω ）
RF端口驻波比（ 50Ω ）
如果负载阻抗（ 1 ）
LO / RF隔离
LO AM噪声抑制（ SSB ）
噪声系数IF = 1kHz时（ 2 ）
噪声系数IF = 10kHz时（ 2 ）
噪声系数IF = 100kHz的（ 2 ）
噪声系数IF = 200kHz的（ 2 ）
+V
+I
顶部
正电源电压（ 3 ）
正电源电流（ 3 ）
工作温度范围
-40
16
20
民
76
[DC;100]
典型值
最大
77
单位
GHz的
兆赫
5
3
-3
8
5.5
0
2:1
2:1
200
22
27
35
29
21.5
18
4.5
1.5
10
8
dB
DBM
DBM
2.5:1
2.5:1
Ω
dB
dB
40
34
26.5
23
dB
dB
dB
dB
V
2.5
+100
mA
°C
（1） IF最佳负载转换损耗是200Ω 。对于最小噪声系数该负载可能是越低，
最好的结果已获得对50Ω 。
（ 2 ）测量的200Ω阻抗IF 。
（ 3 ）外部电阻控制偏置电流（参见“典型的装配和偏置配置”）
绝对最大额定值
(1)
符号
+V
+I
P_LO
P_rf_cw
TSTG
电源电压
电源电流
在LO端口的最大峰值输入功率过载（ 2 ）
在RF端口最大输入功率（ 3 ）
存储温度范围
参数
值
6
2.5
10
3
-55到+125
单位
V
mA
DBM
DBM
°C
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒
参考文献。 ： DSCHM2179b6013 - 06年1月13日
3/9
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
