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AGR21125E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AGR21125E
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内容描述: 125 W, 2.110 GHz的- 2.170 GHz的, N沟道电子模式,横向MOSFET [125 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 电子
文件页数/大小: 9 页 / 343 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR21125E
125 W, 2.110 GHz的- 2.170 GHz的, N沟道电子模式,横向MOSFET
包装尺寸
所有尺寸为英寸。公差为± 0.005英寸除非指定。割引表示漏。
AGR21125EU
引脚:
1.漏
2.门
3.源
1
M-AGR21125U
AGR21125XU
YYWWUR XXXXX
YYWWUR
ZZZZZZZ
ZZZZZZZ
2
2
PEAK器件
3
1
3
AGR21125EF
引脚:
1.漏
2.门
3.源
1
PEAK器件
M-AGR21125F
AGR21125XF
YYWWUR
YYWWUR XXXXX
ZZZZZZZ
ZZZZZZZ
2
杰尔
1
3
3
2
标签注意事项:
零件号之前M表示模型的程序。 X零件号码前表示工程样机。
零件编号的最后两个字母表示晶圆技术和封装类型。
YYWWLL的日期代码,包括制造地点:每年工作周( YYWW ) , LL =位置( AL =阿伦敦, PA ; BK =曼谷,
泰国) 。 = XXXXX五位晶圆批号。
ZZZZZZZ =七位生产零件组装批号。
ZZZZZZZZZZZZ = 12位数(五位数很多,两位数的晶圆,以及五位数的序列号),对模型和工程原型。