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型号: AGR21125E
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内容描述: 125 W, 2.110 GHz的- 2.170 GHz的, N沟道电子模式,横向MOSFET [125 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 电子
文件页数/大小: 9 页 / 343 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR21125E
125 W, 2.110 GHz的- 2.170 GHz的, N沟道电子模式,横向MOSFET
典型性能特性
(续)
0
-5
-10
-15
-20
IMD ( DBC)
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
0.1
1
10
100
V
DD
= 28 V ,P
OUT
= 130 W¯¯ PEP ,女
O
= 2140 MHz的
IM3
IM5
IM7
TWO- TONE间隔(MHz )
图6. IMD与音频间隔
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
50
45
排水ê FF
40
35
30
20
15
10
5
0
EFF ( % ) , IMD3 ( DBC) , ACPR ( dBc的)S
25
收益
2载波W -CDMA 3 GPP ,
峰的魅力。 = 8.5 dB的0.01 % CCDF ,
10兆赫SPACING 3.84 MHz的生化武器,P
OUT
= 28 W,
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1200毫安
增益(dB )S
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
IMD3
ACPR
15
20
25
30
35
40
-40
-45
-50
输出功率(瓦特平均值)S
图7.增益,效率, IMD3和ACPR与输出功率