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AGR21125E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AGR21125E
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内容描述: 125 W, 2.110 GHz的- 2.170 GHz的, N沟道电子模式,横向MOSFET [125 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 电子
文件页数/大小: 9 页 / 343 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR21125E
125 W, 2.110 GHz的- 2.170 GHz的, N沟道电子模式,横向MOSFET
典型性能特性
(续)
20
18
16
14
增益(dB )S
12
10
8
6
4
2
0
2100
IMD3
ACPR
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
收益
2载波W -CDMA 3 GPP ,
峰的魅力。 = 8.5 dB的0.01 % CCDF ,
10 MHz的间距, 3.84 MHz的生化武器,P
OUT
= 28 W,
V
DD
= 28 V,I
DQ
= 1200毫安
RL
EFF
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
2180
频率(MHz )S
图8.宽带性能
20
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
2载波W -CDMA 3GPP , PEAK - TO- AVG = 8.5 dB的0.01 % CCDF
10 MHz的间距, 3.84 MHz的生化武器,P
OUT
= 28 W,
V
DD
= 28 V , IDQ = 1200毫安
F1
F2
IMD3
IMD3
ACPR
ACPR
载体2.1625 GHz的
5兆赫
跨度为50MHz
图9.频谱图
EFF ( % ) , RL (分贝) , IMD3 ( DBC) , ACPR ( dBc的)S