AGR19180EF
180 W， 1930兆赫， 1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
A
RD
U
CT
S
拖车
0.48
IN
D
90
0.0
Ð
＆ GT ;
W
A
V
EL
E
N
GTH
170
0.49
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
0.2
5.0
0.0
A
D
＆ LT ; d
A
RD
L
O
S
拖车
±
180
GTH
-170
L
EN
E
0.2
0.49
0.1
-90
0.4
)
/
Yo
（ -JB
CE
-160
-85
AN
PT
CE
US
ES
1.
0
WA
7
0.4
＆ LT ; d
4
0.0
0
-15
-80
IV
CT
DU
0.4
0.3
O
),
Zo
X/
5
0.4
-70
06
0.
-65
0 .6
-60
1.6
0.8
0.9
1.0
1.2
5
-5
50
5
兆赫（ F）
1930 (f1)
1960 (f2)
1990 (f3)
Z
S
Ω
（复
源阻抗）
2.58 – j5.9
2.36 – j5.26
2.37 – j4.51
Z
L
Ω
（复杂最佳负载阻抗）
3.2 – j4.67
2.85 – j3.86
2.72 – j3.07
Z
S
=从门到门，均衡配置测量测试电路的阻抗。
Z
L
从测得的漏漏=测试电路的阻抗，均衡配置。
漏（1）
–
+
Z
S
门（2）
+
–
Z
L
SOURCE （ 3 ）
输入匹配
DUT
图3.系列等效输入和输出阻抗
0.3
-4
-
0.1
4
6
-3
-70
5
0.35
0.15
0.36
0.14
-80
-4
0
0.37
0.13
-90
0.12
0.38
0.11
-100
0.39
0.1
0.4
-110
0.0
0.4
9
Z
0
= 10
Ω
0.7
1.4
输出匹配
0.
32
1
0.
1.8
0
-5
-25
44
0.
0.
5
0
2.
8
3
0.3
7
0.1
-30
-60
0.4
0.2
CA
P
A
CI
T
香港专业教育学院
RE
A
CT
AN
1
0.4
2
-12
0.08
0
CE
CO
M
PO
N
EN
T
(-j
-1
4
0.
40
-20
3.
5
0.0
0
Z
S
f1
-75
0.6
f3
6
R
IN
-15
4.0
1.
0
0.8
f1
5.0
0.2
V
-10
f3
0.48
0.6
Z
L
8
0.
50
电阻元件（ R /莫宁） ，或电导成分（G /呦）
10
20
50
20
10
0.
8
0.6
0.4
10
0.1
0.
07
-1
30
0.
43
20
0.25
0.26
0.24
0.27
0.23
0.25
0.24
0.26
0.23
0.27
REFL
ECTI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
D
EG
REES
L
E
OF
昂
I
SSI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
茶
N
SM
D
EGR
EES
L
E
OF
昂
0.2
0.2
0.3
-4
0
50
-20
0.2
2
0.2
8
0.2
9
0.2
1
-30
0.
31
0.
19
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
