AGR19180EF
180 W， 1930兆赫， 1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管
介绍
该AGR19180EF是180 W， 28 V的N沟道later-
盟友扩散金属氧化物半导体（ LDMOS ） RF
功率场效应晶体管（FET ），适合于
个人通信服务（PCS） （1930 MHz-
1990兆赫） ，码分多址（CDMA），
全球移动通信系统
（ GSM / EDGE ），时分多址（TDMA ） ，
与单载波或多载波AB类功率
扩音器
应用程序。
设备性能特点
高可靠性，金metalization过程。
的<5 ％热载流子注入（HCI）诱导的偏压漂移
超过20年。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
装置能承受10：1的电压驻波
在28伏直流比（VSWR ） ，1960兆赫， 180 W输出端子
功率脉冲4微秒10 ％占空比。
可用大信号阻抗参数。
ESD额定值*
AGR19180EF
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1000
类
1B
A
4
375D -03 ，风格1
图1. AGR19180EF （法兰连接）套餐
CDMA产品特点
典型的双载波CDMA的性能：
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 1600毫安， P
OUT
= 38 W,
为f1 = 1958.75兆赫， f2的= 1961.25兆赫，IS-九十七分之九十五
CDMA导频，同步，寻呼，业务守则8-13
（ 9个信道） 1.2288 MHz信道带宽（BW） ，
相邻信道功率比（ ACPR ）测量
在30kHz带宽在f1的 - 885 kHz时， f2的+ 885千赫。
失真测量了1.2288兆赫
通道BW在F1 - 2.5兆赫， F2 + 2.5兆赫。
峰值/平均= 9.72分贝@ 0.01 ％的概率在
CCDF ：
- 输出功率： 38 W.
- 功率增益为14.5分贝。
- 效率： 26 ％ 。
- IM3 ： -33 dBc的。
- ACPR ： -48.5 dBc的
- 回波损耗： -12分贝。
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
使用一了人体模型（HBM ）和一个充电装置
模型（CDM） ，以确定合格要求
静电敏感性限制和保护设计评估。 ESD
电压阈值依赖于所使用的电路参数
在每个模型，通过JEDEC的JESD22- A114定义
（HBM）和JESD22- C101 （CDM）的标准。
注意事项：
MOS器件很容易受到来自电 - 损伤
静电荷。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
