AGR19180EF
180 W， 1930兆赫， 1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管
测试电路插图
R1
V
GG
R3
R2
C4
FB1
+
C5
C6
C12
C7
C41
Z9
Z3
Z1
RF输入
Z2
2B
Z4
C2
Z6
Z8
Z10
C1
Z5
Z7
2A
1A
Z19
+
V
DD
+
C3
C23 C24 C25 C26 C37 C27 C28 C29
Z11
Z13
Z21 Z15 C21
Z17
Z18
RF输出
3 DUT
1B
Z12
Z20
Z14
Z22 Z16 C22
R4
V
GS
R6
R5
C9
FB2
V
DD
+
+
+
引脚：
1A 。排水
1B 。排水
2A 。门
2B 。门
3.源
C8
C10
C11
C13
C14
C42
C30 C31 C32 C33 C38 C34 C35 C36
一。原理图
C3
R2
R3
C4 C5 C6 C12
FB1
R1
C23
C26
C37
C27 C2 8 C2 9
C7 C41
C24 C25
C1
C21
C2
C22
C14 C42
R6 FB2
C8
R4
R5
C30
C9 C10C11
C13
C31 C32
C38
C33
C34 C35
C36
B.组件布局
配件清单：
?
微带线： Z1 0.500英寸x 0.067英寸; 。 Z2 ， Z17 1.080英寸X 0.110英寸; Z3 ， Z16 0.210英寸X 0.067英寸; Z4 ， Z15 2.020英寸X 0.067英寸;
Z5 ， Z6 0.230英寸X 0.067英寸; Z7 ， Z8 0.455英寸X 0.700英寸; Z9 ， Z10 1.100英寸X 0.035英寸; Z11 ， Z12 0.475英寸X 0.740英寸;
Z13 ， Z14 0.100英寸X 0.067英寸; Z18 0.230英寸X 0.067英寸; Z19 ， Z20 0.490英寸X 0.050英寸; Z21 ， Z22 0.160英寸X 0.285英寸
®
?
ATC
片状电容器： C1，C2， C21，C22 ： 10 pF的; C7 ， C14 ， C23 ， C30 ， C41 ， C42 ： 8.2 pF的; C12 ， C13 ：1000 pF的。
®
?
基美
钽电容： C27 ， C34 ： 10 μF ， 35 V T491D ; C4 ， C9 ， C37 ， C38 ： 1 μF ， 50 V T491C 。
®
?
基美
贴片电容： C5 ， C10 ， C18 ， C26 ， C33 ： 0.1 μF 。
®
?
斯普拉格
钽表面贴装片式电容器： C3 ， C8 ， C28 ， C29 ， C35 ， C36 ： 22 μF ， 35 V.
®
?
Vitramon
1206电容： C5 ， C12 ： 22000 pF的。
?
1206尺寸片式电阻： R1 ， R4 ： 4.7千欧; R 2， R 5 560千欧，R 3， R 6 ： 1.02千欧。
®
?
商Fair-Rite
铁氧体磁珠： FB1 ， FB2 ： 2743019447 。
®
?
Taconic的
ORCER RF - 35 ：板料， 1盎司铜， 30密耳厚，
ε
r = 3.5.
图2.测试电路
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
