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型号: AGR26125EU
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内容描述: 125瓦, 2.5千兆赫, 2.7千兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET [125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管电子
文件页数/大小: 9 页 / 367 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR 26125 E
125 W, 2.5 GHz—2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics
(continued)
0
-10
-20
IMD (dBc)Z
-30
-40
-50
-60
IM5
IM3
IM7
0.1
1
10
TONE SPACING (MHz)Z
100
Test Conditions:
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 1200 mA, P
OUT
= 110 W (PEP), F = 2595 MHz.
Figure 6. Two-tone IMD vs. Tone Spacing
0
30
-10
PAE
IMD
25
-30
15
-40
GAIN
ACP
10
15
20
25
P
OUT
(W)Z
30
35
40
10
-50
5
-60
0
Test Conditions:
Two-carrier W-CDMA 3GPP, peak-to-average = 8.5 dB @ 0.01% CCDF, F1 = 2590 MHz, F2 = 2600 MHz; V
DD
= 28 V, I
DQ
= 1200 mA.
Figure 7. Two-carrier W-CDMA Performance
PAE (%), GAIN (dB)Z
IMD, ACP (dBc)Z
-20
20