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    AGR21125E 参数 Datasheet PDF下载

    AGR21125E图片预览
    型号： AGR21125E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 125 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET [125 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
    分类和应用： 电子
    文件页数/大小： 9 页 / 343 K
    品牌： TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第9页  
    AGR21125E
    125 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
    Typical Performance Characteristics
    (continued)
    14.5
    4
    2
    0
    PHASE (DEGREES)
    -2
    13.5
    AM-PM
    (PHASE [DEGREES])
    V
    DD
    = 28 Vdc
    F
    O
    = 2140 MHz
    I
    DQ
    = 1200 mA
    CW INPUT
    -4
    -6
    -8
    -10
    -12
    -14
    30
    40
    50
    -16
    14
    POWER GAIN (dB)
    AM-AM
    (POWER GAIN [dB])
    13
    12.5
    12
    0
    10
    20
    INPUT POWER PIN (dBm)
    Figure 10. AM-AM and AM-PM Characteristics

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