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AGR21125E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AGR21125E
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内容描述: 125 W, 2.110 GHz的- 2.170 GHz的, N沟道电子模式,横向MOSFET [125 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 电子
文件页数/大小: 9 页 / 343 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR21125E
125 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics
(continued)
15.00
14.50
POWER GAIN (dB)
S
14.00
13.50
13.00
12.50
12.00
11.50
11.00
1
I
DQ
= 1200 mA
I
DQ
= 1000 mA
I
DQ
= 800 mA
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz
f2 = 2145 MHz
TWO-TONE
MEASUREMENT
10 MHz TONE
SPACING
I
DQ
= 1600 mA
I
DQ
= 1400 mA
10
100
1000
OUTPUT POWER (W) PEP
Figure 4. Two-Tone Power Gain vs. Output Power and I
DQ
-20.00
-25.00
IMD3, THIRD ORDER (dBc)
s
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
-55.00
-60.00
-65.00
-70.00
1
10
I
DQ
= 1200 mA
I
DQ
= 1400 mA
I
DQ
= 800 mA
I
DQ
= 1000 mA
I
DQ
= 1600 mA
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz
f2 = 2145 MHz
TWO-TONE
MEASUREMENT
10 MHz TONE
SPACING
100
1000
OUTPUT POWER (W) PEP
Figure 5. IMD3 vs. Output Power and I
DQ