欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AGR21125E 参数 Datasheet PDF下载

AGR21125E图片预览
型号: AGR21125E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 125 W, 2.110 GHz的- 2.170 GHz的, N沟道电子模式,横向MOSFET [125 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 电子
文件页数/大小: 9 页 / 343 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AGR21125E的Datasheet PDF文件第9页  
AGR21125E
125 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics
(continued)
20
18
16
14
GAIN (dB)S
12
10
8
6
4
2
0
2100
IMD3
ACPR
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
GAIN
2 CARRIER W-CDMA 3 GPP,
PEAK TO AVG. = 8.5 dB @ 0.01% CCDF,
10 MHz SPACING, 3.84 MHz CBW, P
OUT
= 28 W,
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 1200 mA
RL
EFF
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
2180
FREQUENCY (MHz)S
Figure 8. Broadband Performance
20
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
2 CARRIER W-CDMA 3GPP, PEAK-TO-AVG = 8.5 dB @ 0.01% CCDF
10 MHz SPACING, 3.84 MHz CBW, P
OUT
= 28 W,
V
DD
= 28 V, IDQ = 1200 mA
F1
F2
IMD3
IMD3
ACPR
ACPR
Carrier 2.1625 GHz
5 MHz
Span 50 MHz
Figure 9. Spectral Plot
EFF (%), RL (dB), IMD3 (dBc), ACPR (dBc)S