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AGR09085E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AGR09085E
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内容描述: 85 W, 865兆赫, 895兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET [85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 电子
文件页数/大小: 8 页 / 330 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR09085E
85 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics
(continued)
20
18
880 MHz
POWER
865 MHz
895 MHz
POWER GAIN (dB)
dB
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.00
20.00
40.00
60.00
80.00
100.00
P
OUT
(W)Z
120.00
140.00
160.00
TEST CONDITIONS:
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 0.8 A, T
C
= 30 °C, WAVEFORM = CW.
Figure 6. Power Gain vs. Power Out
160
140
120
P
OUT
(W)
Z
100
865 MHz
880 MHz
P
OUT
895 MHz
90
80
70
60
50
865 MHz
EFFICIENCY
40
30
20
3.50
DRAIN EFFICIENCY (%)Z
100
80
60
40
20
0
0.00
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
P
IN
(W)Z
TEST CONDITIONS:
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 0.8 A, T
C
= 30 °C, WAVEFORM = CW.
Figure 7. Power Out and Drain Efficiency vs. Input Power