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XP133A1330SR 参数 Datasheet PDF下载

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型号: XP133A1330SR
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内容描述: N沟道功率MOS FET [N-Channel Power MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 189 K
品牌: TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
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XP133A1330SR
电容与漏源电压
10000
VGS = 0V , F = 1MHz时, TA = 25 ℃
开关时间与漏电流
1000
VGS = 5V时,VDD
10V , PW = 10μs的, duty≤1 % ,TA = 25 ℃
1000
西塞
科斯
开关时间: T( NS )
电容:C (PF )
tf
100
TD (关闭)
100
CRSS
tr
TD (上)
10
0
5
10
15
20
10
0
2
4
6
8
10
漏源电压: Vds的(V )
漏电流: ID( A)
栅源电压与栅极电荷
5
VDS = 10V ,ID = 6A ,TA = 25 ℃
反向漏电流
与源极 - 漏极电压
20
TA = 25 ℃时,脉冲测试
栅源电压:栅极电压(V )
4
反向漏电流: Im额定(A)
4.5V
2.5V
16
1.5V
3
12
2
8
的Vgs = 0V , -4.5V
1
4
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
栅极电荷:的Qg ( NC )
源极 - 漏极电压: VSD (V )
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
11
标准化过渡​​热电阻: γS ( T)
10
第r ( CH-A ) = 62.5 ℃/ W, (实现在玻璃环氧印刷电路板)
1
单脉冲
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度: PW ( S)
770