XP133A1330SR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP133A1330SR
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内容描述：	N沟道功率MOS FET [N-Channel Power MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 189 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP133A1330SR

■典型性能特征

漏极电流与漏源电压

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏电流与栅源电压

VDS = 10V ，脉冲测试

2.5V

25℃

漏电流： ID（ A）

Ta=-55℃

125℃

1.5V

Vgs=1V

0.5

1.5

0.5

1.5

2.5

漏源电压： Vds的（V ）

栅源电压：栅极电压（V ）

漏源导通电阻

与栅源电压

0.1

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏源导通电阻

与漏电流

0.1

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.08

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

Vgs=1.5V

0.06

Id=6A

2.5V

4.5V

0.04

0.02

0.01

栅源电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏源导通电阻

- 环境温度

漏源导通电阻： RDS（ON）（ Ω ）

0.1

脉冲测试

门源截止电压方差

- 环境温度

0.6

VDS = 10V ，ID = 1毫安

门源截止电压方差

：栅极电压（关）方差（V ）

0.08

0.4

0.2

-0.2

-0.4

-0.6

-50

100

150

0.06

Vgs=1.5V

Id=3A

3A, 6A

0.04

2.5V

3A, 6A

0.02

4.5V

-50

100

150

环境温度。：范围Topr （ ℃ ）

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